從華為事件到中科曙光等一大批中國芯片企業(yè)被美國制裁后，中華芯已經(jīng)成為了國人之痛，我國每年進(jìn)口世界芯片的三分之一，但是我們卻沒有定價(jià)權(quán)，在芯片領(lǐng)域*受制于西方國家。

光刻機(jī)是芯片制造領(lǐng)域中最重要的一種設(shè)備，但是世界只有極少數(shù)國家掌握。 其中荷蘭ASML掌握了全球45納米以下光刻機(jī)市場(chǎng)80%

當(dāng)芯片完成IC 設(shè)計(jì)之后，就需要委托晶圓代工廠進(jìn)行封裝制造

簡(jiǎn)單的來講，我們可以將芯片制造比喻成堆積木，通過一層一層的堆疊就可以把積木堆的很高， 為了將積木堆高就需要一個(gè)平穩(wěn)的基板，這個(gè)就是晶圓，然后通過光刻機(jī)進(jìn)行刻蝕，光刻技術(shù)就是通過極細(xì)的光把芯片制作所需要的線路與功能區(qū)做出來

隨著芯片技術(shù)的發(fā)展，對(duì)半導(dǎo)體晶圓襯底提出了更高的要求，Wafer 表面的Bump尺寸變得越來越小。傳統(tǒng)的AFM接觸式檢測(cè)儀需要先將wafer剖開，然后通過探針接觸樣品的表面，這樣就可以獲得樣品的三維表面輪廓，雖然這種方法可以給人感覺這是真實(shí)的三維輪廓圖像，但是受制于探針的精度問題，很難獲得更細(xì)的表面精度。

倒裝芯片技術(shù)是一種成熟的芯片連接技術(shù)，輸入輸出端口布滿整個(gè)芯片的表面，互聯(lián)密度遠(yuǎn)大于引線鍵合技術(shù)，同時(shí)互聯(lián)長(zhǎng)度也大大縮短，有效地提高了電性能。倒裝芯片技術(shù)是指通過芯片上呈陣列排布的焊點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)芯片與襯底的互聯(lián)。倒裝芯片的技術(shù)特點(diǎn)是（1）基板上直接安裝芯片 （2）對(duì)應(yīng)的互聯(lián)位置必須有對(duì)應(yīng)的焊點(diǎn)（3）基板與芯片的焊點(diǎn)呈鏡像對(duì)稱， 因此焊點(diǎn)的制作是倒裝芯片鍵合的最重要工藝。調(diào)整凸點(diǎn)高度的一致性是凸點(diǎn)制作中質(zhì)量控制最重要的步驟，如果高度一致性低就會(huì)出現(xiàn)連接不良，信號(hào)傳輸質(zhì)量差，使用NSS專門設(shè)計(jì)的軟件，wafer 上凸點(diǎn)的高度檢測(cè)就會(huì)變得非常簡(jiǎn)單，只需要一鍵“Bump"就可以獲得所有的凸點(diǎn)高度、寬度、體積數(shù)據(jù)，再點(diǎn)擊"Excel"就可以將所有的測(cè)量數(shù)據(jù)導(dǎo)出到Excel 文件中。

由于各種技術(shù)地發(fā)展，對(duì)芯片能夠在各種條件下仍然能夠正常運(yùn)行，這就對(duì)芯片的生產(chǎn)提出了更高的要求。 尤記得今年7月26日鄭州暴雨災(zāi)害，華為手機(jī)P30 Pro被大水泡了三天后仍然可以正常開機(jī)，打電話。 這就對(duì)手機(jī)以及芯片的防水、防潮、防鹽、防污、耐熱、耐磨、保溫等提出了更高的要求。

隨著技術(shù)的發(fā)展，人們需要考慮芯片在各種環(huán)境下的運(yùn)行情況，例如手機(jī)在底紋環(huán)境下仍然能夠正常通話，充放電等。因此在芯片制造過程中，需要在在芯片的表面鍍上多層不同材料的薄膜膜用以保護(hù)芯片不受到溫度，濕度以及鹽度的影響，提高芯片的整體性能。這就需要NS3500激光共聚焦顯微鏡對(duì)芯片表面的涂層進(jìn)行高精度無損傷檢測(cè)。由于芯片表面不同涂層的材料有差異，這就導(dǎo)致了涂層與涂層之間反射率的差異，這就可以區(qū)分不同材料之間的厚度。